BSZ180P03NS3GATMA1 - MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1825445 Pieces
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Especificações para BSZ180P03NS3GATMA1
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : BSZ180P03NS3GATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 48µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2220pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TSDSON-8
Pacote / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para BSZ180P03NS3GATMA1
Folhas de dados : BSZ180P03NS3GATMA1.pdf
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