SPB80N06S2-09 - MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

Número da peça de fabricante

SPB80N06S2-09

Número de peça interno

AX-SPB80N06S2-09

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

9177 Pieces

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Especificações para SPB80N06S2-09

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SPB80N06S2-09

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

Series : OptiMOS™

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 125µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3140pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 190W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO263-3-2

Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SPB8 , SPB80N

Documentos para SPB80N06S2-09

Folhas de dados : SPB80N06S2-09.pdf

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