IPG20N06S4L11ATMA1 - MOSFET 2N-CH 8TDSON
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
506185 Pieces
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Especificações para IPG20N06S4L11ATMA1
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IPG20N06S4L11ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Series : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 28µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4020pF @ 25V
Potência - Max : 65W
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TDSON-8-4
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IPG20N06S4L11ATMA1
Folhas de dados : IPG20N06S4L11ATMA1.pdf
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