MSRT10060(A)D - DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
13968 Pieces
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Especificações para MSRT10060(A)D
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
MSRT10060(A)D
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrição :
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Series :
-
Status da Peça :
Active
Configuração de diodo :
1 Pair Series Connection
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) :
100A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 100A
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 600V
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Three Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Three Tower
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para MSRT10060(A)D
Folhas de dados :
MSRT10060(A)D.pdf
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