PHM25NQ10T,518 - MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
53196 Pieces
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Especificações para PHM25NQ10T,518
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : PHM25NQ10T,518
Fabricante : NXP USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON
Series : TrenchMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 26.6nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 62.5W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-HVSON (6x5)
Pacote / caso : 8-VDFN Exposed Pad
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para PHM25NQ10T,518
Folhas de dados : PHM25NQ10T,518.pdf
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