APTM100DA33T1G - MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
21266 Pieces
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Especificações para APTM100DA33T1G
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : APTM100DA33T1G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 396 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 305nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7868pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 390W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP1
Pacote / caso : SP1
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para APTM100DA33T1G
Folhas de dados : APTM100DA33T1G.pdf
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