STU6N65M2 - MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-STU6N65M2
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
271855 Pieces
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Especificações para STU6N65M2
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : STU6N65M2
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Series : MDmesh™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.35 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.8nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 226pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 60W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : IPAK (TO-251)
Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para STU6N65M2
Folhas de dados : STU6N65M2.pdf
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