FDS6612A - MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Número da peça de fabricante

FDS6612A

Número de peça interno

AX-FDS6612A

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1414415 Pieces

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Especificações para FDS6612A

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FDS6612A

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Series : PowerTrench®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8.4A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.6nC @ 5V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 560pF @ 15V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOIC

Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FD , FDS6

Documentos para FDS6612A

Folhas de dados : FDS6612A.pdf

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