IPD65R650CEATMA1 - MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252

Número da peça de fabricante

IPD65R650CEATMA1

Número de peça interno

AX-IPD65R650CEATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

23240 Pieces

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Especificações para IPD65R650CEATMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPD65R650CEATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252

Series : CoolMOS™

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10.1A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 0.21mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 100V

Recurso FET : Super Junction

Dissipação de energia (máx.) : 86W (Tc)

Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO252-3

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPD65 , IPD65R65

Documentos para IPD65R650CEATMA1

Folhas de dados : IPD65R650CEATMA1.pdf

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