BSP149 E6327 - MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-BSP149 E6327
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
9016 Pieces
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Especificações para BSP149 E6327
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
BSP149 E6327
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
660mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 400µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
430pF @ 25V
Recurso FET :
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) :
1.8W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-SOT223-4
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para BSP149 E6327
Folhas de dados :
BSP149 E6327.pdf
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