IXFT6N100Q - MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-IXFT6N100Q
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
51835 Pieces
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Especificações para IXFT6N100Q
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
IXFT6N100Q
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2200pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
180W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-268
Pacote / caso :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para IXFT6N100Q
Folhas de dados :
IXFT6N100Q.pdf
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