SIHP21N65EF-GE3 - MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB

Número da peça de fabricante

SIHP21N65EF-GE3

Número de peça interno

AX-SIHP21N65EF-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

90615 Pieces

Preço de referência

~~USD 3.096~~

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Especificações para SIHP21N65EF-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIHP21N65EF-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 106nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2322pF @ 100V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 208W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB

Pacote / caso : TO-220-3

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIHP2 , SIHP21N

Documentos para SIHP21N65EF-GE3

Folhas de dados : SIHP21N65EF-GE3.pdf

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