FDP4D5N10C - FET ENGR DEV-NOT REL
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-FDP4D5N10C
Fabricante
Descrição breve
FET ENGR DEV-NOT REL
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
129545 Pieces
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Especificações para FDP4D5N10C
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : FDP4D5N10C
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : FET ENGR DEV-NOT REL
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 128A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 310µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5065pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.4W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3
Pacote / caso : TO-220-3
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para FDP4D5N10C
Folhas de dados : FDP4D5N10C.pdf
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