EFC6602R-A-TR - MOSFET 2N-CH EFCP
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH EFCP
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
28462 Pieces
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Especificações para EFC6602R-A-TR
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : EFC6602R-A-TR
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET 2N-CH EFCP
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Recurso FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : -
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potência - Max : 2W
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 6-XFBGA, FCBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : EFCP2718-6CE-020
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para EFC6602R-A-TR
Folhas de dados : EFC6602R-A-TR.pdf
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