FESB16JT-E3/81 - DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
467740 Pieces
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Especificações para FESB16JT-E3/81
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : FESB16JT-E3/81
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 16A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 16A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : 145pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 150°C
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para FESB16JT-E3/81
Folhas de dados : FESB16JT-E3/81.pdf
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