SI7317DN-T1-GE3 - MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8

Número da peça de fabricante

SI7317DN-T1-GE3

Número de peça interno

AX-SI7317DN-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

899675 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.31185~~

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Especificações para SI7317DN-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI7317DN-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.8A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.8nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 365pF @ 75V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 1212-8

Pacote / caso : PowerPAK® 1212-8

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI731 , SI7317D

Documentos para SI7317DN-T1-GE3

Folhas de dados : SI7317DN-T1-GE3.pdf

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