IPD60R650CEATMA1 - MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Número da peça de fabricante

IPD60R650CEATMA1

Número de peça interno

AX-IPD60R650CEATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

21440 Pieces

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Especificações para IPD60R650CEATMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPD60R650CEATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Series : CoolMOS™ CE

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20.5nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 100V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 63W (Tc)

Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252-3

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPD60 , IPD60R65

Documentos para IPD60R650CEATMA1

Folhas de dados : IPD60R650CEATMA1.pdf

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