DMN2011UFDE-7 - MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1654015 Pieces
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Especificações para DMN2011UFDE-7
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
DMN2011UFDE-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2248pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
610mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
U-DFN2020-6 (Type E)
Pacote / caso :
6-UDFN Exposed Pad
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para DMN2011UFDE-7
Folhas de dados :
DMN2011UFDE-7.pdf
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