NSB8MTHE3_A/I - DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
522690 Pieces
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Especificações para NSB8MTHE3_A/I
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
NSB8MTHE3_A/I
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
1000V
Atual - Média Retificada (Io) :
8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 8A
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 1000V
Capacitância @ Vr, F :
55pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AB
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para NSB8MTHE3_A/I
Folhas de dados :
NSB8MTHE3_A/I.pdf
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