APTM100H45FT3G - MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
8368 Pieces
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Especificações para APTM100H45FT3G
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
APTM100H45FT3G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V (1kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
540 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
154nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4350pF @ 25V
Potência - Max :
357W
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
SP3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP3
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para APTM100H45FT3G
Folhas de dados :
APTM100H45FT3G.pdf
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