GSID100A120T2C1 - SILICON IGBT MODULES
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
SILICON IGBT MODULES
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
6088 Pieces
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Especificações para GSID100A120T2C1
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : GSID100A120T2C1
Fabricante : Global Power Technologies Group
Descrição : SILICON IGBT MODULES
Series : Amp+™
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : -
Configuração : Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 200A
Potência - Max : 640W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 100A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 13.7nF @ 25V
Entrada : Three Phase Bridge Rectifier
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para GSID100A120T2C1
Folhas de dados : GSID100A120T2C1.pdf
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