IPD068N10N3GBTMA1 - MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
8304 Pieces
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Especificações para IPD068N10N3GBTMA1
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IPD068N10N3GBTMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4910pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 150W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO252-3
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IPD068N10N3GBTMA1
Folhas de dados : IPD068N10N3GBTMA1.pdf
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