W987D2HBJX6E TR - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
238060 Pieces
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Especificações para W987D2HBJX6E TR
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : W987D2HBJX6E TR
Fabricante : Winbond Electronics
Descrição : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo de memória : Volatile
Formato de memória : DRAM
Tecnologia : SDRAM - Mobile LPSDR
Tamanho da memória : 128Mb (4M x 32)
Freqüência do relógio : 166MHz
Escrever tempo de ciclo - Word, página : 15ns
Tempo de acesso : 5.4ns
Interface de memória : Parallel
Tensão - fonte : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operação : -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 90-TFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 90-VFBGA (8x13)
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para W987D2HBJX6E TR
Folhas de dados : W987D2HBJX6E TR.pdf
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