SI5511DC-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
29071 Pieces
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Especificações para SI5511DC-T1-GE3
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SI5511DC-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N and P-Channel
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A, 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7.1nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
435pF @ 15V
Potência - Max :
3.1W, 2.6W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SMD, Flat Lead
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
1206-8 ChipFET™
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SI5511DC-T1-GE3
Folhas de dados :
SI5511DC-T1-GE3.pdf
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