FQA6N80_F109 - MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-FQA6N80_F109
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
6416 Pieces
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Especificações para FQA6N80_F109
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
FQA6N80_F109
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
Series :
QFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.95 Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1500pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
185W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3P
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para FQA6N80_F109
Folhas de dados :
FQA6N80_F109.pdf
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