IPP65R380C6XKSA1 - MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
52098 Pieces
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Especificações para IPP65R380C6XKSA1
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IPP65R380C6XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 320µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 710pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 83W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-3
Pacote / caso : TO-220-3
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IPP65R380C6XKSA1
Folhas de dados : IPP65R380C6XKSA1.pdf
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