BSZ086P03NS3EGATMA1 - MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Número da peça de fabricante

BSZ086P03NS3EGATMA1

Número de peça interno

AX-BSZ086P03NS3EGATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1399470 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.200478~~

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Especificações para BSZ086P03NS3EGATMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : BSZ086P03NS3EGATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Series : OptiMOS™

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 13.5A (Ta), 40A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.6 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 105µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 57.5nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±25V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4785pF @ 15V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TSDSON-8

Pacote / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : BSZ086 , BSZ086P03

Documentos para BSZ086P03NS3EGATMA1

Folhas de dados : BSZ086P03NS3EGATMA1.pdf

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