SQJ968EP-T1_GE3 - MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
891010 Pieces
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Especificações para SQJ968EP-T1_GE3
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SQJ968EP-T1_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33.6 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 18.5nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 714pF @ 30V
Potência - Max : 42W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TA)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SO-8 Dual
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para SQJ968EP-T1_GE3
Folhas de dados : SQJ968EP-T1_GE3.pdf
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