IXTP8N65X2M - MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220

Número da peça de fabricante

IXTP8N65X2M

Número de peça interno

AX-IXTP8N65X2M

Fabricante

IXYS

Descrição breve

MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

252760 Pieces

Preço de referência

~~USD 1.11~~

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Especificações para IXTP8N65X2M

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IXTP8N65X2M

Fabricante : IXYS

Descrição : MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 32W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220

Pacote / caso : TO-220-3

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IXT , IXTP8

Documentos para IXTP8N65X2M

Folhas de dados : IXTP8N65X2M.pdf

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