SUD35N10-26P-GE3 - MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Número da peça de fabricante

SUD35N10-26P-GE3

Número de peça interno

AX-SUD35N10-26P-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

421455 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.6657~~

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Especificações para SUD35N10-26P-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SUD35N10-26P-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 12V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 8.3W (Ta), 83W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252, (D-Pak)

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SUD35 , SUD35N10

Documentos para SUD35N10-26P-GE3

Folhas de dados : SUD35N10-26P-GE3.pdf

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