SQ2325ES-T1_GE3 - MOSFET P-CH 150V 840MA TO236

Número da peça de fabricante

SQ2325ES-T1_GE3

Número de peça interno

AX-SQ2325ES-T1_GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CH 150V 840MA TO236

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1724210 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.16272~~

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Especificações para SQ2325ES-T1_GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SQ2325ES-T1_GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CH 150V 840MA TO236

Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 840mA (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.77 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 50V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 3W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TA)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-236 (SOT-23)

Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SQ232 , SQ2325E

Documentos para SQ2325ES-T1_GE3

Folhas de dados : SQ2325ES-T1_GE3.pdf

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