IRF6711STRPBF - MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
495445 Pieces
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Especificações para IRF6711STRPBF
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IRF6711STRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Ta), 84A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1810pF @ 13V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DIRECTFET™ SQ
Pacote / caso : DirectFET™ Isometric SQ
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IRF6711STRPBF
Folhas de dados : IRF6711STRPBF.pdf
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