GP1M006A065CH - MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

Número da peça de fabricante

GP1M006A065CH

Número de peça interno

AX-GP1M006A065CH

Fabricante

Global Power Technologies Group

Descrição breve

MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

20912 Pieces

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Especificações para GP1M006A065CH

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : GP1M006A065CH

Fabricante : Global Power Technologies Group

Descrição : MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

Series : -

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1177pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 120W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : GP1M , GP1M00

Documentos para GP1M006A065CH

Folhas de dados : GP1M006A065CH.pdf

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