TPH3206LDGB - GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-TPH3206LDGB
Fabricante
Descrição breve
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
51954 Pieces
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Especificações para TPH3206LDGB
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
TPH3206LDGB
Fabricante :
Transphorm
Descrição :
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
16A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 11A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
9.3nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±18V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
760pF @ 480V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
81W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PQFN (8x8)
Pacote / caso :
3-PowerDFN
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para TPH3206LDGB
Folhas de dados :
TPH3206LDGB.pdf
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