ESH3B M6G - DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-ESH3B M6G
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
4190020 Pieces
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Especificações para ESH3B M6G
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : ESH3B M6G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 3A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 20ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AB, SMC
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para ESH3B M6G
Folhas de dados : ESH3B M6G.pdf
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