SI4967DY-T1-E3 - MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Número da peça de fabricante

SI4967DY-T1-E3

Número de peça interno

AX-SI4967DY-T1-E3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

27811 Pieces

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Especificações para SI4967DY-T1-E3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI4967DY-T1-E3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Recurso FET : Logic Level Gate

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potência - Max : 2W

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI49 , SI4967D

Documentos para SI4967DY-T1-E3

Folhas de dados : SI4967DY-T1-E3.pdf

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