TPH4R10ANL,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
688660 Pieces
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Especificações para TPH4R10ANL,L1Q
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
TPH4R10ANL,L1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Series :
U-MOSVIII-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
92A (Ta), 70A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
75nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6.3nF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 67W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOP Advance (5x5)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para TPH4R10ANL,L1Q
Folhas de dados :
TPH4R10ANL,L1Q.pdf
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