DMN10H170SFG-7 - MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
23296 Pieces
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Especificações para DMN10H170SFG-7

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : DMN10H170SFG-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 122 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14.9nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 870.7pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 940mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerDI3333-8
Pacote / caso : 8-PowerWDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : DMN1 , DMN10H1

Documentos para DMN10H170SFG-7

Folhas de dados : DMN10H170SFG-7.pdf

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