NVD6416ANLT4G-001 - MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
52956 Pieces
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Especificações para NVD6416ANLT4G-001

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : NVD6416ANLT4G-001
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 74 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 71W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK-3
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : NVD64 , NVD6416A

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Folhas de dados : NVD6416ANLT4G-001.pdf

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