SIS932EDN-T1-GE3 - MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1826940 Pieces
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Especificações para SIS932EDN-T1-GE3
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SIS932EDN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1000pF @ 15V
Potência - Max :
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SIS932EDN-T1-GE3
Folhas de dados :
SIS932EDN-T1-GE3.pdf
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