IPL60R299CPAUMA1 - MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON

Número da peça de fabricante

IPL60R299CPAUMA1

Número de peça interno

AX-IPL60R299CPAUMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

324725 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.864~~

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Especificações para IPL60R299CPAUMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPL60R299CPAUMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON

Series : CoolMOS™

Status da Peça : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11.1A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 299 mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 440µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 100V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 96W (Tc)

Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-VSON-4

Pacote / caso : 4-PowerTSFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPL60 , IPL60R29

Documentos para IPL60R299CPAUMA1

Folhas de dados : IPL60R299CPAUMA1.pdf

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