EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
70290 Pieces
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Especificações para EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR
Fabricante : Micron Technology Inc.
Descrição : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de memória : Volatile
Formato de memória : DRAM
Tecnologia : SDRAM - Mobile LPDDR2
Tamanho da memória : 512Mb (16M x 32)
Freqüência do relógio : 533MHz
Escrever tempo de ciclo - Word, página : -
Tempo de acesso : -
Interface de memória : Parallel
Tensão - fonte : 1.14V ~ 1.95V
Temperatura de operação : -40°C ~ 125°C (TC)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 134-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 134-VFBGA (10x11.5)
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : EDB5432B , EDB5432BEBH-
Documentos para EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR
Folhas de dados : EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR.pdf
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