HGT1S10N120BNST - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
259345 Pieces
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Especificações para HGT1S10N120BNST
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
HGT1S10N120BNST
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
35A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
80A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 10A
Potência - Max :
298W
Energia de comutação :
320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
100nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
23ns/165ns
Condição de teste :
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AB
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para HGT1S10N120BNST
Folhas de dados :
HGT1S10N120BNST.pdf
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