SI1051X-T1-GE3 - MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
6672 Pieces
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Especificações para SI1051X-T1-GE3
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SI1051X-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 122 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.45nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 560pF @ 4V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 236mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SC-89-6
Pacote / caso : SOT-563, SOT-666
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para SI1051X-T1-GE3
Folhas de dados : SI1051X-T1-GE3.pdf
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