SI5445BDC-T1-GE3 - MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
11560 Pieces
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Especificações para SI5445BDC-T1-GE3
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SI5445BDC-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.3W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 1206-8 ChipFET™
Pacote / caso : 8-SMD, Flat Lead
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para SI5445BDC-T1-GE3
Folhas de dados : SI5445BDC-T1-GE3.pdf
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