1N8026-GA - DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-1N8026-GA
Fabricante
Descrição breve
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
9368 Pieces
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Especificações para 1N8026-GA
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : 1N8026-GA
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Atual - Média Retificada (Io) : 8A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 2.5A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F : 237pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-257-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-257
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 250°C
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para 1N8026-GA
Folhas de dados : 1N8026-GA.pdf
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