IRF7807VD1 - MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-IRF7807VD1
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
65275 Pieces
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Especificações para IRF7807VD1
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
IRF7807VD1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Series :
FETKY™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para IRF7807VD1
Folhas de dados :
IRF7807VD1.pdf
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