PHM30NQ10T,518 - MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON

Número da peça de fabricante

PHM30NQ10T,518

Número de peça interno

AX-PHM30NQ10T,518

Fabricante

NXP USA Inc.

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

24262 Pieces

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Especificações para PHM30NQ10T,518

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : PHM30NQ10T,518

Fabricante : NXP USA Inc.

Descrição : MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON

Series : TrenchMOS™

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 37.6A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 53.7nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3600pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 62.5W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-HVSON (6x5)

Pacote / caso : 8-VDFN Exposed Pad

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : PHM3 , PHM30NQ

Documentos para PHM30NQ10T,518

Folhas de dados : PHM30NQ10T,518.pdf

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Número da peça	Marca	Descrição
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