SIRB40DP-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
704010 Pieces
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Especificações para SIRB40DP-T1-GE3
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SIRB40DP-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4290pF @ 20V
Potência - Max : 46.2W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SO-8 Dual
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para SIRB40DP-T1-GE3
Folhas de dados : SIRB40DP-T1-GE3.pdf
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