IPB180N06S4H1ATMA2 - MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
213840 Pieces
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Especificações para IPB180N06S4H1ATMA2
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IPB180N06S4H1ATMA2
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Series : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 270nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 21900pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 250W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO263-7-3
Pacote / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IPB180N06S4H1ATMA2
Folhas de dados : IPB180N06S4H1ATMA2.pdf
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